2004年第三季度中国半导体存储器市场分析报告

报告类别：分析报告
行业分类：家电
研究机构：赛迪顾问
报告来源：赛迪顾问

报告内容：

　　赛迪顾问近期发布的“2004年第三季度中国半导体存储器市场分析报告”显示，2004年三季度中国半导体存储器市场走出二季度的销售淡季，需求平稳增长，市场销量达到11.65亿块，较二季度增长3.0%，较2003年同期增长了30.9%；市场销售额为115.7亿元，同比增长14.1%，环比增长了3.4%。

　　从存储器的产品结构来看，2004年三季度DRAM超过Flash占据了最大的市场份额，达到了43.0%，这是由于PC等相关产品三季度对标准型DRAM的需求增加且以显卡、游戏机为主的消费电子产品对利基型DRAM的需求也在快速增长。Flash的市场规模为47.3亿元，与二季度相比分别下降了1.4%，SRAM的市场规模为7.8亿元，与二季度相比增长了2.3%。在重点产品方面，DDR2新产品和支持DDR2的芯片组不断推出显示了半导体厂商对DDR2技术的肯定，赛迪顾问认为目前DDR2在耗电量、价格和成本效益点问题上并没有达到预期水准将影响其在市场的普及速度，此外，下半年可能出现的测试产能短缺也会影响到DDR2成为市场主流的速度；2004年三季度，FLASH的两种产品NOR FLASH和NAND FLASH为了争夺手机市场而展开了激烈的竞争，NOR FLASH在手机中一直占有主导地位，大部分手机使用NOR FLASH实现代码存储，同时采用SRAM或PSRAM作为缓存或工作内存，而NAND FLASH厂商提倡把NAND FLASH与SDRAM相结合，赛迪顾问认为新一代手机集成了PDA、摄像机等新功能将促使手机对数据处理和存储的要求提高，从而带动手机用存储器容量需求的大幅攀升。

　　从各个存储器厂商推出的新产品来看，由于蜂窝电话和移动产品市场对存储器的要求越来越高，小尺寸、低功耗和高可靠性的存储技术的开发受到了厂商的青睐。如：SST推出的64M FLASH系列适用于手机、机顶盒、PDA和网络设备，同时还提供小尺寸封装；Renesas将SRAM单元与DRAM电容器技术相结合，开发出了据称是业界第一个没有软错误的SRAM，且在0.15μm工艺SRAM产品中，具有最小的元件尺寸；Intel在新推出的SRAM中增加了休眠晶体管，闲置期间，睡眠晶体管会切断流向SRAM的电流，从而消除了导致芯片功耗的根源，这一特性使电池供电设备大为受益。

　　从存储器市场价格来看，三季度DRAM价格经历了先降后涨，7月初DRAM的价格一路狂跌，到8月中旬开始止跌回升，其价格又逐渐恢复涨势，整体来看，价格基本平稳。三季度影响DRAM价格的因素主要表现在以下几个方面：1、供需逆转使DRAM价格下跌。2004年上半年由于SDRAM产能不足出现的供不应求的局面令厂商们对三季度充满了希望，加上三季度为消费性电子产品的旺季，欧洲杯与奥运会的接连登场使厂商们乐观的认为产品的需求将刺激元件市场，事实上，7月初的市场需求量却不如预期乐观，市场需求明显疲软，SDRAM市场陷入了供大于求的困境。2、需求下降产量升高，DRAM价格再次下降。7月下旬消费者对于PC、笔记本电脑等商品需求仍就疲软，而DRAM厂新一代工艺技术良品率已由过去持续处于低迷不振转换为快速向上攀高的情况，因此DRAM 7月下旬的合约价在需求量不如预期但产出量却不断拉高的双重影响下，由原先预计的持平转换成继续下跌。　3、Samsung的政策是现货市场出现回缓的一剂强心针。8月18日，Samsung突然宣布：现货市场供应量大幅降低一半以上，改为全力供应国际OEM电脑大厂合约市场。这样的动作带给现货市场的直接结果就是现货市场货源瞬间出现紧缩状态，而在需求稳步上升的情况下，再次造成现货市场货源开始紧张，而DRAM现货价格的回升变的理所当然。其实大厂的动作只是一方面，更重要的是季节性的需求渐渐回温，沉寂的市场开始热身了。2004年三季度FLASH芯片特别是NAND FLASH热度不如预期，价格进一步走软，三季度以来，Hynix、Infineon等继续投入生产NAND FLASH，FLASH芯片供应格外充裕，打开了价格下调的空间，同时Samsung上半年制定的抢夺市场策略也是造成NAND FLASH价格下降的重要因素。

　　赛迪顾问预计，受终端市场需求升温和企业的换机热潮的影响，2004年四季度中国半导体存储器市场规模将达到121.8亿元，较三季度增长5.3%，同时市场销量较三季度增长5.2%，达到12.26亿块。

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